制作MEMS惯性传感器的方法及MEMS惯性传感器
基本信息
| 申请号 | CN201210126539.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103373698B | 公开（公告）日 | 2015-09-16 |
| 申请公布号 | CN103373698B | 申请公布日 | 2015-09-16 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;G01D5/241(2006.01)I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 王志玮;唐德明;张镭;毛剑宏;韩凤芹 | 申请（专利权）人 | 浙江珏芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | 张家港市高松专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 张家港丽恒光微电子科技有限公司;上海丽恒光微电子科技有限公司;丽水珏意芯诚电子科技合伙企业（有限合伙）;浙江珏芯微电子有限公司 |
| 地址 | 215613 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种制作MEMS惯性传感器的方法及MEMS惯性传感器，包括步骤：在半导体基底上淀积第一碳层作为牺牲层；图案化第一碳层，形成固定锚栓，惯性锚栓和底部密封环；形成固定锚栓中的接触插塞和惯性锚栓中的接触插塞；在所述第一碳层和固定锚栓、惯性锚栓上形成第一固定电极、惯性电极以及与惯性电极相连的连接电极，所述第一固定电极和惯性电极构成一对电容；在所述第一固定电极和惯性电极上形成第二碳层作为覆盖层；在所述第二碳层和顶部密封环上形成顶盖层。本发明的惯性传感器在惯性力的作用下只有惯性电极移动，固定电极不会移动和震动，从而提高了惯性传感器的精确度。 |
