半导体结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201210425466.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102923636B | 公开（公告）日 | 2015-11-25 |
| 申请公布号 | CN102923636B | 申请公布日 | 2015-11-25 |
| 分类号 | B81B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 毛剑宏;韩凤芹;唐德明 | 申请（专利权）人 | 浙江珏芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司;浙江珏芯微电子有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构及其制作方法。本发明所提供的半导体结构包括基底和形成于所述基底上的介质层，所述介质层包含位于第一区域的第一介质及位于第二区域的第二介质，所述第一介质包围所述第二介质并与所述第二介质相接而形成相接界面，所述第一介质和/或所述第二介质内形成有保护带。由于在介质内形成有保护带，保护带可释放和消除介质在相接界面附近的应力，防止第一介质与第二介质在相接界面处出现剥离、破裂或者断裂的现象，解决了上述半导体结构为基础的MEMS组件因出现上述现象而坏掉的问题。 |
