一种成像探测器的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201410243357.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105261622B | 公开（公告）日 | 2017-12-22 |
| 申请公布号 | CN105261622B | 申请公布日 | 2017-12-22 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨天伦;毛剑宏 | 申请（专利权）人 | 浙江珏芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司;浙江珏芯微电子有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区上海市张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种成像探测器的制造方法，在所述基底上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层，形成暴露所述第一互连孔的通孔；利用锗硅填充所述通孔形成第二互连孔；在所述牺牲层和第二互连孔上形成金属层；在金属层上形成第二介质层；刻蚀去掉部分区域的第二介质层和金属层，使得相邻的四个第二互连孔分别通过4根金属线连接到所述反射层上方的位置，并且4根金属线断开，其中连接对角的两个第二互连孔的金属线延伸到反射层上方的位置暴露，连接另外对角的两个第二互连孔的金属线被第二介质层覆盖；利用氢气和/或氮气对金属层表面进行处理；在反射层所对应的第二介质层上形成热敏电阻。 |
