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成像探测器及其制造方法

基本信息

申请号	CN201410243348.3	申请日	-
公开（公告）号	CN105226130A	公开（公告）日	2016-01-06
申请公布号	CN105226130A	申请公布日	2016-01-06
分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	杨天伦;毛剑宏	申请（专利权）人	浙江珏芯微电子有限公司
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮
地址	201203 上海市浦东新区上海市张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种成像探测器的制造方法，包括：刻蚀基底上的牺牲层，形成暴露所述第一互连孔的通孔；利用导电材料填充所述通孔形成第二互连孔；形成金属层；在金属层上形成第二介质层；利用干法刻蚀去掉部分区域的第二介质层和金属层，使得相邻的四个第二互连孔分别通过4根金属线和其上的第二介质层连接到所述反射层上方的位置，连接另外对角的两个第二互连孔的金属线被第二介质层覆盖；并且所述的干法刻蚀不含有灰化制程,在反射层所对应的第二介质层上形成热敏电阻，所述热敏电阻覆盖延伸到反射层上方的暴露的金属线,对干法刻蚀进行了改造，去除了其中的灰化工艺，利用对氮化硅材料刻蚀的刻蚀工艺，在同一步骤中实现对氮化硅和金属层的刻蚀。