一种半导体堆叠封装结构及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010008289.7 申请日 -
公开(公告)号 CN111146093B 公开(公告)日 2021-08-24
申请公布号 CN111146093B 申请公布日 2021-08-24
分类号 H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/00;H01L23/31 分类 基本电气元件;
发明人 张正 申请(专利权)人 亿芯微半导体科技(深圳)有限公司
代理机构 北京贵都专利代理事务所(普通合伙) 代理人 李新锋
地址 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道秀新社区景强路6号101
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种半导体堆叠封装结构及其制备方法,该方法包括以下步骤:提供一载体基板,在所述载体基板的上表面依次形成可剥离粘结层、第一钝化层、重布线层、第二钝化层;在所述第二钝化层上形成多个第一焊料块,将第一半导体芯片安装在所述第一焊料凸块上,在所述第二钝化层上形成多个第二焊料块,将第二半导体芯片安装在所述第二焊料凸块上,在第二钝化层上形成模塑料,所述模塑料完全包裹所述第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一焊料块以及第二焊料块,接着除去所述可剥离粘结层和所述载体基板,然后在所述第一钝化层的暴露的表面上形成阻焊层,接着在所述第一钝化层和所述阻焊层中形成第二开孔,接着在所述第二开孔中形成焊球。