一种半导体封装结构及一种半导体封装的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010008319.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111162013B | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN111162013B | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张正 | 申请（专利权）人 | 亿芯微半导体科技（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 北京贵都专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李新锋 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道秀新社区景强路6号101 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体封装结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：提供一承载基板，在所述承载基板的上表面形成一粘结层；接着在所述承载基板的上表面形成第一钝化层；接着在所述第一钝化层上形成第一介质层、第一金属线路层、第二介质层、第二金属线路层、第三介质层以及第二钝化层，接着在暴露的所述第二金属线路层上形成焊料柱，接着将半导体芯片安装到所述焊料柱上，然后利用第二激光照射所述焊料柱，以在所述焊料柱的表面形成多个微凹孔；接着形成模塑料，接着除去所述粘结层和所述承载基板，在所述第一钝化层的暴露的表面上形成阻焊层，接着在所述第一钝化层和所述阻焊层中形成第二开孔，接着在所述第二开孔中形成焊球。 |
