一种半导体封装结构及一种半导体封装的制造方法

基本信息

申请号 CN202010008319.4 申请日 -
公开(公告)号 CN111162013A 公开(公告)日 2020-05-15
申请公布号 CN111162013A 申请公布日 2020-05-15
分类号 H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31 分类 基本电气元件;
发明人 张正 申请(专利权)人 亿芯微半导体科技(深圳)有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 230000 安徽省合肥市庐江县白山镇鸡鸣村第一村民组
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种半导体封装结构及其制造方法,该方法包括以下步骤:提供一承载基板,在所述承载基板的上表面形成一粘结层;接着在所述承载基板的上表面形成第一钝化层;接着在所述第一钝化层上形成第一介质层、第一金属线路层、第二介质层、第二金属线路层、第三介质层以及第二钝化层,接着在暴露的所述第二金属线路层上形成焊料柱,接着将半导体芯片安装到所述焊料柱上,然后利用第二激光照射所述焊料柱,以在所述焊料柱的表面形成多个微凹孔;接着形成模塑料,接着除去所述粘结层和所述承载基板,在所述第一钝化层的暴露的表面上形成阻焊层,接着在所述第一钝化层和所述阻焊层中形成第二开孔,接着在所述第二开孔中形成焊球。