一种薄膜的测量方法

基本信息

申请号 CN202010276441.X 申请日 -
公开(公告)号 CN111426275B 公开(公告)日 2021-12-28
申请公布号 CN111426275B 申请公布日 2021-12-28
分类号 G01B11/06(2006.01)I 分类 测量;测试;
发明人 张传维;王鑫辉;李伟奇;郭春付;杨康 申请(专利权)人 武汉颐光科技有限公司
代理机构 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 代理人 谢洋
地址 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区汤逊湖北路33号华工科技园·创新基地办公研发楼18栋4层5、6、7室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及光学测量技术领域,特别涉及一种薄膜的测量方法,通过将黑样件放在样品台上,测量反射率谱为0的黑样件反射光强谱;将厚度已知的测量样件放在样品台上进行测量,利用光谱仪获取标准样件的反射光强谱;测量标准样件时对应的黑样光强;找到局部测量区域后关闭照明光源,利用光谱仪获取待测样件的反射光强谱;计算待测样件的实际测量反射率谱;假定待测样件的膜厚序列,通过计算获取相对应的反射率谱序列;通过表达拟合程度,拟合程度最佳时所对应的厚度d为待测样件膜厚。本发明提供的薄膜的测量方法,可实现对样品的局部区域精确测量。