一种传感器单晶硅刻蚀质量监测方法
基本信息
| 申请号 | CN202210140588.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114481333A | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN114481333A | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | C30B33/12（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 奎建明 | 申请（专利权）人 | 淮安纳微传感器有限公司 |
| 代理机构 | 江苏长德知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 223000江苏省淮安市淮阴区（工业园区）南昌路605号三层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种传感器单晶硅刻蚀质量监测方法，属于传感器生产领域。方法包括：根据历史时间段内预设时间间隔的刻蚀片架角位移序列和单晶硅受离子轰击压力序列计算得到刻蚀质量第一指标；根据历史时间段内预设时间间隔的刻蚀片架角位移序列、刻蚀片架旋转保持趋势序列和排气流量序列计算得到刻蚀质量第二指标；根据刻蚀质量第一指标和刻蚀质量第二指标计算刻蚀质量综合指标；根据历史时间段内每天的刻蚀质量综合指标预测未来目标时刻的刻蚀质量综合指标，若未来目标时刻的刻蚀质量综合指标小于质量阈值，则对刻蚀加工过程进行调整。本发明能够实现对刻蚀质量的预测，以在预测出的刻蚀质量不能够满足要求时及时调整刻蚀加工过程。 |
