一种SOI结构的高温低漂压力芯片
基本信息
| 申请号 | CN202122128569.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215910025U | 公开（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申请公布号 | CN215910025U | 申请公布日 | 2022-02-25 |
| 分类号 | G01L1/00（2006.01）I;G01L9/00（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 奎建明 | 申请（专利权）人 | 淮安纳微传感器有限公司 |
| 代理机构 | 江苏长德知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈飞 |
| 地址 | 223000江苏省淮安市淮阴区（工业园区）南昌路605号三层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种SOI结构的高温低漂压力芯片，包括：芯片主体；电极片，所述电极片设有两个，两个所述电极片分别与芯片主体电性连接；辅助机构，所述辅助机构安装在电极片的外侧，所述辅助机构可将导向固定在电极片上后将导线与电极片锡焊，本实用新型不需要操作者在焊接前将导线稳定的放置在电极片位置处，只需将导线插入辅助机构内后，导线与电极片处于相对稳定状态，再进行锡焊，减小焊接不牢等焊接缺陷，方便操作者的焊接。 |
