一种3CCM的生产方法
基本信息
申请号 | CN202010282896.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111477885B | 公开(公告)日 | 2021-07-23 |
申请公布号 | CN111477885B | 申请公布日 | 2021-07-23 |
分类号 | H01M4/88(2006.01)I;H01M8/1004(2016.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 朱小兵;潘牧;宛朝辉;艾勇诚;闫霜;刘素芬 | 申请(专利权)人 | 武汉理工氢电科技有限公司 |
代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人 | 付兴奇 |
地址 | 430000湖北省武汉市经济技术开发区东荆河路175号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本申请提供一种3CCM的生产方法,属于膜电极生产技术领域。3CCM的生产方法包括将多个分离的第一催化片间隔地转移至输送中的第一底膜上。将多个分离的第二催化片间隔地转移至输送中的第二底膜上。检测第一底膜上的第一催化片以及与第一催化片对应的第二底膜上的第二催化片的位置信息。根据位置信息计算出第一催化片以及与第一催化片对应的第二催化片的偏差值,当偏差值位于预设范围之外时,调节将第一催化片间隔地转移到第一底膜上的速度和将第二催化片间隔地转移到第二底膜上的速度之间的速度差,使偏差值位于预设范围之内。此方法能够使3CCM上的阴极催化涂层以及阳极催化涂层对齐,对位精确。 |
