底部发射垂直腔面发射激光器
基本信息
申请号 | CN201911365489.1 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111162451A | 公开(公告)日 | 2020-05-15 |
申请公布号 | CN111162451A | 申请公布日 | 2020-05-15 |
分类号 | H01S5/183;H01S5/00 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 沈志强 | 申请(专利权)人 | 浙江博升光电科技有限公司 |
代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 郭栋梁 |
地址 | 314116 浙江省嘉兴市嘉善县魏塘街道振源路99号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本申请公开了一种底部发射垂直腔面发射激光器,至少一个发光单元,所述发光单元包括层叠设置的衬底、第一反射器层、有源层、氧化层、第二反射器层及顶部电极,所述氧化层具有限定激光出射窗口的非氧化区,所述衬底上形成有用于改变所述激光出射窗口所出射激光光路的光学结构。上述方案,一方面由于衬底是在整个VCSEL中占据最大体积的部件,在其上直接集成光学结构,相较于在VCSEL外部设置光学结构,能够显著降低其整体尺寸;另一方面,在衬底上集成光学结构,可以是在VCSEL的制作工艺中一并完成,相较于在VCSEL外部设置光学结构,不需要在VCSEL制作完成后,在通过单独的工艺在VCSEL的出光侧设置光学结构,因此简化了工艺流程,降低成本。 |
