多层多区垂直腔面发射激光器装置
基本信息
| 申请号 | CN202010106042.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111293584A | 公开（公告）日 | 2020-06-16 |
| 申请公布号 | CN111293584A | 申请公布日 | 2020-06-16 |
| 分类号 | H01S5/042;H01S5/183;H01S5/42 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 沈志强 | 申请（专利权）人 | 浙江博升光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郭栋梁 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼2604 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种多层多区垂直腔面发射激光器装置，包括垂直腔面发射激光器层，所述垂直腔面发射激光器层包括至少两个区域，每一区域至少具有一个垂直腔面发射激光器；所述垂直腔面发射激光器层上设置有至少两层第一电极层，相邻所示第一电极层之间设置有绝缘层，所述绝缘层将所述至少两层第一电极层分隔为与所述区域数量一致的连接电极，所述连接电极与所述区域一一对应；每一所述区域内，所述垂直腔面发射激光器的第一电极与该区域对应的连接电极电连接该方案减小了VCSEL阵列的整体尺寸，降低了生产成本。 |
