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基底转移垂直腔面发射激光器及其制造方法

基本信息

申请号 CN202010059560.X 申请日 -
公开（公告）号 CN111180995A 公开（公告）日 2020-05-19
申请公布号 CN111180995A 申请公布日 2020-05-19
分类号 H01S5/024;H01S5/183 分类 基本电气元件;
发明人 沈志强 申请（专利权）人 浙江博升光电科技有限公司
代理机构 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 郭栋梁
地址 314116 浙江省嘉兴市嘉善县魏塘街道振源路99号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种基底转移垂直腔面发射激光器及其制造方法，所述的基底转移垂直腔面发射激光器的结构包括：导电散热基板；金属黏贴层；垂直腔面发射器薄膜芯片。所述导电散热基板的第一面通过金属黏贴层粘接垂直腔面发生激光器薄膜芯片，所述导电散热基板的第二面及所述垂直腔面发生激光器薄膜芯片背离所述导电散热基板的一侧分别设置有连接电极，所述第一面与所述第二面为所述导电散热基板相背的两面。导电散热基板为导热性能优异的材料，利于垂直腔面发生激光器薄膜芯片散热。因此，本发明显著提高了垂直腔面发生激光器薄膜芯片的发光效率。