垂直腔面发射激光器的结构及制造方法
基本信息
申请号 | CN201911268085.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111029901A | 公开(公告)日 | 2021-06-29 |
申请公布号 | CN111029901A | 申请公布日 | 2021-06-29 |
分类号 | H01S5/183;H01S5/187 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 沈志强 | 申请(专利权)人 | 浙江博升光电科技有限公司 |
代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 郭栋梁 |
地址 | 314116 浙江省嘉兴市嘉善县魏塘街道振源路99号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本申请公开了一种垂直腔面发射激光器的结构及制造方法,其中方法包括:分别形成第一反射器层、氧化层、发光层及第二反射器层,发光层具有至少一个发光区域;于各发光区域的正上方形成圆形电隔离保护区,对电隔离保护区外的区域进行质子或离子隔离注入以形成电隔离区域,电隔离区域至少覆盖所述发光区域外侧的氧化层。上述方案,电隔离区域的覆盖区域对电流的流经路径进行局限,使得一个发光区域的正、负电极、施加电压后,电流经该电隔离区域所环绕的非绝缘区域,而不会流经到电隔离区域之外,提高了激光器的可靠性。同时,各发光区所流经的电流均匀,使得各发光区的亮度一致性高,提高了垂直腔面发射激光器的品质。 |
