一种P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010465882.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111564490B | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN111564490B | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴勇;陆俊;王东;陈兴;汪琼;葛林男;严伟伟;何滇;曾文秀;王俊杰;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 | 申请（专利权）人 | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 代理机构 | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 241000安徽省芜湖市弋江区文津西路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种P‑GaN增强型HEMT器件及其制备方法，属于半导体技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、ALN成核层、ALGaN缓冲层、GaN沟道层、ALN插入层、ALGaN势垒层、低温饱和P型GaN、P‑GaN、钝化层、源极（110）、漏极、栅极。在P‑GaN层和势垒层之间生长一层低温饱和P型GaN（LTPGaN层），该层的生长阻止了P‑GaN层的mg扩散至沟道层，从而降低器件的导通电阻，提升HEMT器件的工作效率。 |
