一种带有刻蚀保护层的金刚石基氮化镓器件的制备方法
基本信息
申请号 | CN202210151050.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114551239A | 公开(公告)日 | 2022-05-27 |
申请公布号 | CN114551239A | 申请公布日 | 2022-05-27 |
分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 林长志;陈兴;王东;吴勇;黄永;陈瑶;李彦佐;邱慧嫣;谢雨峰 | 申请(专利权)人 | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
代理机构 | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 241000安徽省芜湖市弋江区文津西路8号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种带有刻蚀保护层的金刚石基氮化镓器件的制备方法,涉及半导体技术领域,通过上述方法获得了器件,该器件包括金刚石衬底、第一衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极、介质层和保护层,本发明可以有效解决刻蚀氮化镓带来的损伤,还可以改善金刚石与氮化镓之间的应力问题。以提升氮化镓功率器件散热能力。 |
