一种光取出层材料及其应用
基本信息
| 申请号 | CN201811132267.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109111411B | 公开（公告）日 | 2022-06-14 |
| 申请公布号 | CN109111411B | 申请公布日 | 2022-06-14 |
| 分类号 | C07D285/12（2006.01）I;C07D417/10（2006.01）I;C07D417/14（2006.01）I;C07D271/107（2006.01）I;C07D413/10（2006.01）I;C07D413/14（2006.01）I;C07D417/04（2006.01）I;C07D413/04（2006.01）I;C09K11/06（2006.01）I;H01L51/50（2006.01）I;H01L51/54（2006.01）I | 分类 | 有机化学〔2〕; |
| 发明人 | 穆广园;庄少卿;任春婷 | 申请（专利权）人 | 武汉尚赛光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 436070 湖北省鄂州市葛店开发区1#创业服务中心 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明以对称的1,3,4‑噻/噁二唑为核心基团，在其2,5位桥接电子云密度较大的刚性基团，形成一类具有高折射率的化合物。该化合物作为光取出层材料覆盖于阴极之上对器件进行修饰，进一步改善了由于全反射、光波导效应等造成的光在器件内部的损耗，避免热量积累造成的器件寿命和稳定性的下降，提高光取出效率。 |
