集成栅保护结构的GaNHEMT器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110425872.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113113484A | 公开（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申请公布号 | CN113113484A | 申请公布日 | 2021-07-13 |
| 分类号 | H01L29/778（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 倪炜江 | 申请（专利权）人 | 安徽芯塔电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟雪 |
| 地址 | 241000安徽省芜湖市弋江区芜湖高新技术产业开发区服务外包产业园3号楼1804 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种集成栅保护结构的GaN HEMT器件，器件包括：GaNHEMT，所述GaN HEMT包括源极、栅极及漏极，在栅极和源极之间设置有栅保护结构，栅保护结构在栅极与源极间的正向电压大于允许的最大正向电压时或反向电压的绝对值大于允许的最大反向电压的绝对值时击穿并导通。集成栅极保护结构的GaN HEMT器件，利用在芯片上集成栅的保护结构，当器件的栅极电压超过最大允许电压时，栅保护结构击穿导通，栅源电压维持在设置的最大电压，实现了对栅介质的保护，提高器件应用的可靠性。 |
