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一种集成门极吸收电路的功率半导体模块

基本信息

申请号 CN202021522866.6 申请日 -
公开（公告）号 CN212750884U 公开（公告）日 2021-03-19
申请公布号 CN212750884U 申请公布日 2021-03-19
分类号 H01L23/49(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 朱楠;向礼;辛纪元 申请（专利权）人 致瞻科技（上海）有限公司
代理机构 北京润平知识产权代理有限公司 代理人 肖冰滨;刘兵
地址 201315上海市浦东新区秀浦路68号1栋东区207室.208室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种集成门极吸收电路的功率半导体模块，属于芯片技术领域。所述功率半导体模块包括：基板；硅芯片，包括通过硅电容器技术连接的门极吸收电容和阻尼电阻，所述硅芯片的背面端子设置于所述基板上；功率半导体芯片，包括多个门极端子；第一引线，所述第一引线的一端与所述硅芯片的正面端子连接，所述第一引线的另一端与所述功率半导体芯片的一个门极端子连接；以及第二引线，所述第二引线的一端与所述硅芯片的背面端子连接，所述第二引线的另一端与所述功率半导体芯片的另一个门极端子连接。该功率半导体模块在满足滤除开关过程中门极电压波形的震荡和尖峰的需求的情况下降低了系统的设计体积。