一种石墨烯基底涂覆太阳能电池及其制备方法

基本信息

申请号 CN201811419803.5 申请日 -
公开(公告)号 CN109638093B 公开(公告)日 2020-05-22
申请公布号 CN109638093B 申请公布日 2020-05-22
分类号 H01L31/0352;H01L31/07;H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 张岩;付吉国;董伟;赵然;周卫东;曾蕾 申请(专利权)人 国宏科信科技发展有限公司
代理机构 北京辰权知识产权代理有限公司 代理人 董李欣
地址 100089 北京市海淀区长春桥路11号3号楼12层1203
法律状态 -

摘要

摘要 一种石墨烯基底涂覆太阳能电池,包括铜导线、银胶、Ti/Au电极、多层石墨烯层、n型硅片、In‑Ga合金层、导电铜基底;硅片上有绝缘层,中间围成方形,Ti/Au电极位于绝缘层上;石墨烯层面积大于硅片;In‑Ga合金层处于n型硅片和铜基底之间;硅片的上表面具有微孔阵列,填满石墨烯微片。还包括制备该电池的方法。