方便CSP焊接的侧壁电极增大制作工艺

基本信息

申请号 CN201811250526.X 申请日 -
公开(公告)号 CN111106015A 公开(公告)日 2021-07-09
申请公布号 CN111106015A 申请公布日 2021-07-09
分类号 H01L21/50 分类 基本电气元件;
发明人 罗雪方;陈文娟;瞿澄;薛水源;罗子杰 申请(专利权)人 江苏罗化新材料有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 226300 江苏省南通市高新技术产业开发区青岛路180号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种方便CSP焊接的侧壁电极增大制作工艺,包括:将芯片排列成矩阵结构,所述芯片的电极朝上;将白墙膜与芯片进行热压,定高后放置到氮气烤箱中进行烘烤;对芯片的电极表面的白墙膜进行钻孔,对钻孔后的电极表面进行金属沉积外延生长处理,生长方式为磁控溅射、电镀,电铸或者化学镀中的一种或多种;将荧光膜热压到芯片的出光面上并在控制厚度后,将带有荧光膜的工件放置到氮气烤箱中进行烘烤;使用钻石切割刀或者树脂切割刀切割上述工件得到CSP灯珠。本发明采用金属沉积外延生长的方式对芯片的电极进行延伸扩大,有效解决了的倒装芯片中因电极尺寸小而导致的不易贴片和焊接的问题。