一种超低介质损耗的聚酰亚胺薄膜

基本信息

申请号 CN201810047784.1 申请日 -
公开(公告)号 CN109648970B 公开(公告)日 2020-07-03
申请公布号 CN109648970B 申请公布日 2020-07-03
分类号 B32B27/28;B32B27/18;B32B27/08;C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08 分类 -
发明人 李磊;袁舜齐;何志斌 申请(专利权)人 深圳瑞华泰薄膜科技股份有限公司
代理机构 北京精金石知识产权代理有限公司 代理人 深圳瑞华泰薄膜科技股份有限公司
地址 518105 广东省深圳市宝安区松岗街道办华美工业园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种可直接与铜箔粘合的,超低介质损耗的聚酰亚胺薄膜及其制备方法,该聚酰亚胺薄膜由一层芯层和一层表层构成,或者由两层表层中间夹一层芯层构成,所述聚酰亚胺薄膜在10GHz测试频率下的介质损耗因数为0.0030~0.0060,介电常数<3.0。