一种绝缘层上硅总剂量效应版图加固技术
基本信息
| 申请号 | CN201711358096.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109935626A | 公开（公告）日 | 2019-06-25 |
| 申请公布号 | CN109935626A | 申请公布日 | 2019-06-25 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I; H01L29/417（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘森 | 申请（专利权）人 | 微龛（北京）半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100085 北京市海淀区上地信息路26号01层0112-194室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种绝缘层上硅总剂量效应版图加固技术，包括：设计出SOI晶体管的总剂量效应加固版图；加固时，将SOI工艺体引出与晶体管有源区之间的隔离氧化硅(埋孔)布置在晶体管的版图四周；埋孔的外围布置上四条体引出，并用金属互联环绕。由于埋孔比浅槽隔离浅，进而Si/SiO2界面会减少；另一方面体引出也会稳定有源区电势，屏蔽衬底Si/SiO2界面对晶体管沟道的影响，最终实现对总剂量效应的加固。 |
