一种测量单粒子效应引起的寄生双极型晶体管效应放大系数的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种测量单粒子效应引起的寄生双极型晶体管效应放大系数的方法

基本信息

申请号	CN201710529341.1	申请日	-
公开（公告）号	CN109212398A	公开（公告）日	2019-01-15
申请公布号	CN109212398A	申请公布日	2019-01-15
分类号	G01R31/26	分类	测量；测试;
发明人	刘森;张阳	申请（专利权）人	微龛（北京）半导体科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	100085 北京市海淀区上地信息路26号01层0112-194室
法律状态	-

摘要

本发明提出了一种测量单粒子效应引起的寄生双极型晶体管放大系数的方法，包括：设计出测量晶体管的测试结构；测量时，将待测晶片放入设计的实验装置，利用带孔金属挡板确定轰击位置，激光束通过密封的激光罩引入真空舱，且激光罩可以控制粒子入射方向；所有晶体管源区、漏区和栅极通过金属布线引出连接到金属接触板(PAD)，通过铜线焊接到真空仓外接插口；漏区上方有“+”标志，用于与带孔铅挡板对准，确定粒子入射位置。当单个高能粒子轰击晶体管漏区时，晶体管源端、漏端、正栅和背栅通过连接出口外接偏置电压(对N型晶体管，源端和正栅接地，漏端接电源电压，背栅接负电压；对P型晶体管，源端和正栅接电源电压，漏端接地，背栅接正电压)，漏端电流通过半导体参数分析仪被测量。放大系数由公式β＝ID_max(VBG＝0V)/ID_max(VBG＝0V)‑1进行提取。