抗总剂量效应的MOS场效应管
基本信息
| 申请号 | CN201811440768.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109585531B | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN109585531B | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘淼;康晓峰 | 申请（专利权）人 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人 | 于晓波 |
| 地址 | 110032辽宁省沈阳市皇姑区陵园街20号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种抗总剂量效应的MOS场效应管，属于MOS场效应管的设计技术领域。该场效应管在源区和漏区的边缘使用多晶硅环绕源区和漏区两极，同时多晶硅覆盖有源区的边缘形成的蝴蝶柵形结构，因为P管不存在边缘寄生晶体管反型的问题，所以只对N管采用蝴蝶栅结构。该结构能够减少总剂量辐射下的MOS器件的SiO2中产生的辐射感生陷阱电荷和在Si/SiO2界面产生辐射感生界面态。从而减少MOS器件阈值电压漂移，防止沟道载流子迁移率降低，防止漏电流增加。该蝴蝶柵形结构能够完全消除辐射感生边缘寄生晶体管效应，并且与商用工艺相兼容，使用该方法设计的集成电路，能够在整体上具有抗总剂量效应的功能。 |
