氮化镓基功率器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810012666.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109411580B | 公开（公告）日 | 2020-04-24 |
| 申请公布号 | CN109411580B | 申请公布日 | 2020-04-24 |
| 分类号 | H01L33/12;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李丹丹 | 申请（专利权）人 | 深圳英嘉通半导体有限公司 |
| 代理机构 | 合肥市科融知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李丹丹;深圳英嘉通半导体有限公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新区南六道8号航盛科技大厦20层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种氮化镓基功率器件及其制备方法，所述功率器件包括衬底以及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、电子提供层、发光层、空穴提供层；所述衬底包括蓝宝石基板和在所述蓝宝石基板上形成的圆锥形图衬；所述缓冲层厚度小于圆锥形图衬顶部距离蓝宝石基板上表面的距离；所述电子提供层包括依次沉积在所述缓冲层上的本征层，掺杂层；本征层包括以纵向模式沉积的第一本征层和以横向模式沉积的第二本征层，第一本征层厚度和缓冲层厚度之和等于圆锥形图衬顶部距离蓝宝石基板上表面的距离。本发明提供的氮化镓基功率器件应力小，位错密度低，结晶质量高。 |
