氮化镓基功率器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810012666.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109411580A | 公开（公告）日 | 2019-03-01 |
| 申请公布号 | CN109411580A | 申请公布日 | 2019-03-01 |
| 分类号 | H01L33/12;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李丹丹 | 申请（专利权）人 | 深圳英嘉通半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号合肥创新产业园二期G4栋B区938室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种氮化镓基功率器件及其制备方法，所述功率器件包括衬底以及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、电子提供层、发光层、空穴提供层；所述衬底包括蓝宝石基板和在所述蓝宝石基板上形成的圆锥形图衬；所述缓冲层厚度小于圆锥形图衬顶部距离蓝宝石基板上表面的距离；所述电子提供层包括依次沉积在所述缓冲层上的本征层，掺杂层；本征层包括以纵向模式沉积的第一本征层和以横向模式沉积的第二本征层，第一本征层厚度和缓冲层厚度之和等于圆锥形图衬顶部距离蓝宝石基板上表面的距离。本发明提供的氮化镓基功率器件应力小，位错密度低，结晶质量高。 |
