一种线型纳米碳管复合场发射源及其制备方法和专用装置
基本信息
| 申请号 | CN200610081052.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN100423162C | 公开（公告）日 | 2008-10-01 |
| 申请公布号 | CN100423162C | 申请公布日 | 2008-10-01 |
| 分类号 | H01J1/304(2006.01);H01J9/02(2006.01);C01B31/00(2006.01);B82B1/00(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 冯孙齐 | 申请（专利权）人 | 北京北大新世纪科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高存秀 |
| 地址 | 100102 北京市海淀区中关村北大街127-1号1层101-7室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种线型纳米碳管复合场发射源及其制备方法和专用装置，该发射源包括一导电纤维编织绳衬底，其上沉积有单壁或多壁纳米碳管膜。该复合场发射源的制备方法包括纤维编织绳的表面预处理，以及利用自通电热解CVD方法在纤维编织绳上生长单壁或多壁纳米碳管。因此，这种复合场发射源的长度不受限制。本发明的纳米碳管复合场发射源是线型的，可用于制备具有不含汞、能耗小、无频闪和亮度高的管式纳米碳管场发射发光灯。该装置既能用于制备纳米碳管复合场发射源，也能进行场发射特性和发光特性的原位测试，甚至能边生长纳米碳管，边观察它的场发射。该装置是纳米碳管场发射灯的实验室原型，它的结构和制备工艺简单，易于推广。 |
