一种外延硅片的预处理方法
基本信息
| 申请号 | CN202010381771.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111554566A | 公开（公告）日 | 2020-08-18 |
| 申请公布号 | CN111554566A | 申请公布日 | 2020-08-18 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 康宏;王作义;石广宁;雒林生;何传奇 | 申请（专利权）人 | 四川广瑞半导体有限公司 |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 唐邦英 |
| 地址 | 629000四川省遂宁市国开区玉龙路598号创新创业孵化中心4011号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种外延硅片的预处理方法，包括以下步骤：1)、臭氧发生：空气依次经过空气压缩机和臭氧发生机产生臭氧；2)、臭氧前处理：将臭氧发生机产生的臭氧通过第一进气管通入鼓泡瓶中的去离子水中，臭氧在鼓泡瓶进行温度和浓度调节；3)、臭氧氧化：经过前处理的臭氧通过排气管上的喷射装置喷射在外延硅片的表面进行氧化处理，在外延硅片的表面形成均匀的钝化层，所述臭氧在喷射之前进行流量控制。本发明解决了采用双氧水浸泡方式导致钝化层均匀性较差的问题，同时本发明具有操作难度低和工作量小的优点。 |
