一种改进结构的肖特基二极管
基本信息
| 申请号 | CN201721177335.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207097834U | 公开（公告）日 | 2018-03-13 |
| 申请公布号 | CN207097834U | 申请公布日 | 2018-03-13 |
| 分类号 | H01L29/872;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王作义;康宏;马洪文;胡宝平;陈小铎;崔永明;卞小玉 | 申请（专利权）人 | 四川广瑞半导体有限公司 |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郭受刚 |
| 地址 | 629000 四川省遂宁市国开区玉龙路598号创新创业孵化中心4011号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种改进结构的肖特基二极管，包括由上至下依次设置的阳极金属层、N‑外延层、N型基片、N+阴极层和阴极金属层，在阳极金属层与N‑外延层接触的一端的四周设置有二氧化硅层，二极管的阳极设置在阳极金属层端，二极管的阴极设置在阴极金属层端，N‑外延层向阳极金属层侧和/或N型基片侧外凸构成有凸起。本实用新型通过增加N‑外延层的表面积，降低N‑外延层的电阻值，这样就能保证N‑外延层中的移动电子的数量，同时又能保证肖特基二极管的开关性能。 |
