绝缘栅双极型晶体管的硅外延片生产工艺
基本信息
| 申请号 | CN201711099661.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107845570B | 公开（公告）日 | 2019-02-12 |
| 申请公布号 | CN107845570B | 申请公布日 | 2019-02-12 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/223 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王作义;康宏;马洪文;胡宝平;陈小铎;崔永明;卞小玉 | 申请（专利权）人 | 四川广瑞半导体有限公司 |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郭受刚 |
| 地址 | 629000 四川省遂宁市国开区玉龙路598号创新创业孵化中心4011号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了绝缘栅双极型晶体管的硅外延片生产工艺，包括依次进行的以下步骤：步骤一、将硅衬底材料采用纯水清洗后放入反应器内；步骤二、采用氢气作为载流气体排出反应器内的空气；步骤三、将反应器内部升温至1160～1180℃，再采用HCL刻蚀3～4min，然后将反应器内部的HCL排除；步骤四、将反应器内部的温度降至1130～1140℃的生长温度；步骤五、向反应器内通入由氢气和四氯化硅气体混合构成的反应气体，使得硅衬底表面生成硅单晶层，得到硅外延片；步骤六、停止向反应器内通入反应气体，待反应器内部降至室温时，向反应器内通入氮气3～4min；步骤七、打开反应器取出硅外延片。本发明整体工艺简单，便于实现，成本低，且应用时能减小N+/P+交界面处过渡区的宽度。 |
