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8英寸功率芯片的硅外延片生产工艺

基本信息

申请号	CN201711097978.4	申请日	-
公开（公告）号	CN107699944B	公开（公告）日	2018-12-18
申请公布号	CN107699944B	申请公布日	2018-12-18
分类号	C30B25/20;C30B25/08;C30B25/14;C30B25/10;C30B29/06	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	王作义;康宏;马洪文;胡宝平;陈小铎;崔永明;卞小玉	申请（专利权）人	四川广瑞半导体有限公司
代理机构	成都行之专利代理事务所（普通合伙）	代理人	郭受刚
地址	629000 四川省遂宁市国开区玉龙路598号创新创业孵化中心4011号
法律状态	-

摘要

本发明公开了8英寸功率芯片的硅外延片生产工艺，包括依次进行的以下步骤：步骤一、将硅衬底材料采用纯水清洗后放入反应器内；步骤二、采用氢气作为载流气体排出反应器内的空气；步骤三、将反应器内部升温至1160～1180℃，再采用HCL刻蚀3～4min，然后将反应器内部的HCL排除；步骤四、将反应器内部的温度降至1020～1030℃的生长温度；步骤五、向反应器内通入硅烷和掺杂剂，使得硅衬底表面生成硅单晶层，得到硅外延片；步骤六、停止向反应器内通入反应气体，待反应器内部降至室温时，向反应器内通入氮气3～4min；步骤七、打开反应器取出硅外延片。本发明整体工艺简单，便于实现，成本低，且应用时能提升生产的硅外延片电阻率均匀一致性。