金氧半场效晶体管
基本信息
| 申请号 | CN201721180712.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207097832U | 公开（公告）日 | 2018-03-13 |
| 申请公布号 | CN207097832U | 申请公布日 | 2018-03-13 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王作义;康宏;马洪文;胡宝平;陈小铎;崔永明;卞小玉 | 申请（专利权）人 | 四川广瑞半导体有限公司 |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郭受刚 |
| 地址 | 629000 四川省遂宁市国开区玉龙路598号创新创业孵化中心4011号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了金氧半场效晶体管，包括栅极、源极、漏极、二氧化硅绝缘层、两个N区、一个P区、外延片，源极穿过其中一个N区上侧的二氧化硅绝缘层与下侧的N区连通；漏极穿过另外一个N区上侧的二氧化硅绝缘层与下侧的N区连通；在二氧化硅绝缘层与P区接触的表面之间形成的空腔中还设置有一个外延片，二氧化硅绝缘层在空腔中的表面向下突出形成一个等腰梯形台面，P区在空腔中的表面向下凹陷形成凹槽，形成的凹槽的表面积大于形成的等腰梯形台面的表面积；外延片与空腔形状相适应。本实用新型减小外延片的使用面积，使外延片仅仅限制在P区与二氧化硅绝缘层接触的表面上，节约外延片的材料投入，提高外延片的有效使用面积。 |
