硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺
基本信息
| 申请号 | CN202010381767.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111554565A | 公开（公告）日 | 2020-08-18 |
| 申请公布号 | CN111554565A | 申请公布日 | 2020-08-18 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 康宏;王作义;雒林生;石广宁;韩立琼 | 申请（专利权）人 | 四川广瑞半导体有限公司 |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 唐邦英 |
| 地址 | 629000四川省遂宁市国开区玉龙路598号创新创业孵化中心4011号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺，包括以下步骤：1)、选择衬底片：采用重掺硼或重掺砷衬底片，所述衬底片为P型掺杂；2)、衬底片抛光：采用HCl进行气相抛光；3)、气流吹扫：衬底片抛光后采用H2进行吹扫；4)、外延生长：硅源用SiHCl3，先进行反型外延生长，生长温度为1080‑1100℃，生长速率为0.8‑1.0um/min，再进行双层外延生长，生长温度为1120‑1150℃，生长速率为1.2‑1.6um/min；所述硅源与衬底片接触之前先进行恒温预热处理；5)、外延生长完成后反应炉降温，取片。本发明所述制备工艺通过合理控制参数，提高了硅外延片厚度均匀性、电阻率均匀性。 |
