硅8英寸大功率元器件制备用外延炉
基本信息
| 申请号 | CN202020747761.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212077201U | 公开（公告）日 | 2020-12-04 |
| 申请公布号 | CN212077201U | 申请公布日 | 2020-12-04 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王作义;康宏;卞小玉;韩立琼 | 申请（专利权）人 | 四川广瑞半导体有限公司 |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 唐邦英 |
| 地址 | 629000四川省遂宁市国开区玉龙路598号创新创业孵化中心4011号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了硅8英寸大功率元器件制备用外延炉，包括配套的炉体和炉盖，所述炉体内设置有石墨基座，所述炉体的底部设置有加热结构，所述石墨基座设置在加热结构上方，还包括进气管，所述进气管一端伸入炉体内，所述进气管在炉体内的端部设置有缓冲室，所述缓冲室的上端与进气管连通，下端与向内收缩形成封闭凸起，所述封闭凸起通过连通管与气源注入器连通，所述气源注入器设置在石墨基座上方，所述缓冲室采用导热材料制成。采用该外延炉进行外延生长能够提高衬底晶片受热温度的均匀性。 |
