一种具有围坝的封装结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011235681.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112103195B | 公开（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申请公布号 | CN112103195B | 申请公布日 | 2021-07-23 |
| 分类号 | H01L21/52（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/24（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈先明;黄本霞;冯磊;王闻师;赵江江;高峻 | 申请（专利权）人 | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京风雅颂专利代理有限公司 | 代理人 | 李翔;鲍胜如 |
| 地址 | 519175广东省珠海市斗门区珠峰大道北3209号FPC厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有围坝的封装结构的制造方法，包括如下步骤：准备临时承载板，并在临时承载板上制备介电层，介电层内设置有第一布线层及位于第一布线层上表面的导通柱；在介电层外表面制备第二布线层，第二布线层与第一布线层通过导通柱导通连接；移除临时承载板，并在介电层的上下表面上分别形成第一阻焊层和第二阻焊层；在第一阻焊层外表面制作围坝；对第一阻焊层和第二阻焊层分别进行金属表面处理；在第一阻焊层外表面贴装器件，其中器件的端子与第二布线层连接，层压封装材料形成封装层以包覆围坝和器件。还公开了一种具有围坝的封装结构，包括围坝和设置在所述围坝围成的空间内的器件。 |
