一种MEMS芯片及其制作方法、MEMS麦克风
基本信息
| 申请号 | CN202110273355.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112678764B | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN112678764B | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;H04R19/00（2006.01）I;H04R19/04（2006.01）I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 山东新港电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 潍坊中润泰专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 田友亮 |
| 地址 | 261200山东省潍坊市坊子区正泰路1369号7号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种MEMS芯片及其制作方法、MEMS麦克风。其中，所述MEMS芯片主要包括：振膜、与振膜相对设置的背极以及二者之间的振动间隙；所述振膜、所述背极及所述振动间隙形成电容器结构；所述振膜、所述背极的部分表面设有XeF2阻隔层，所述振动间隙通过XeF2干法化学腐蚀的方法释放多晶硅牺牲层形成。本发明采用的XeF2干法化学各向同性腐蚀方法，与常见的湿法腐蚀和干法物理刻蚀相比，具有工艺简单、选择比高、无离子轰击和无结构粘附等优点，有利于减少MEMS芯片在加工过程中的损伤，提高MEMS芯片的成品率和可靠性。 |
