NFTL算法适配NANDFlash的方法、存储设备
基本信息
申请号 | CN202011638088.1 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112765050A | 公开(公告)日 | 2021-05-07 |
申请公布号 | CN112765050A | 申请公布日 | 2021-05-07 |
分类号 | G06F12/06(2006.01)I;G06F12/1009(2016.01)I | 分类 | - |
发明人 | 王志奇;何欣霖;何卫国 | 申请(专利权)人 | 成都三零嘉微电子有限公司 |
代理机构 | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 | 代理人 | 贾年龙 |
地址 | 610041四川省成都市高新区云华路333号国家西部信息安全产业园94-99号信箱 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了NFTL算法适配NANDFlash的方法、存储设备,包括步骤:将写入NANDFlash的物理地址与NFTL算法计算得到的地址进行重映射,完成数据写入到NANDFlash的地址是连续的等。本发明能够让NFTL算法在MLC和TLCNANDFlash上适配,解决NFTL管理算法不能较好适配高工艺NANDFlash的问题,对开发高速存储设备具有实际意义,可广泛应用于存储设备的NANDFlash的管理等。 |
