嵌入式闪存高速编程的实现方法、嵌入式闪存的编程系统专利查询专利号|摘要-满商公司网

嵌入式闪存高速编程的实现方法、嵌入式闪存的编程系统

基本信息

申请号	CN202110397302.7	申请日	-
公开（公告）号	CN112802527B	公开（公告）日	2021-07-02
申请公布号	CN112802527B	申请公布日	2021-07-02
分类号	G11C16/10;G11C16/20	分类	信息存储;
发明人	汤臻;章锡翔;刘强;吴忠洁	申请（专利权）人	上海灵动微电子股份有限公司
代理机构	上海一平知识产权代理有限公司	代理人	吴珊;成春荣
地址	201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江镇科苑路399号10幢2层2-1
法律状态	-

摘要

本申请涉及一种嵌入式闪存高速编程的实现方法及编程系统，该系统包括：上位机、调试接口和微控制器，微控制器包括静态存储器和闪存，静态存储器包括程序代码区、控制交换区和数据缓冲区。上位机获取静态存储器和闪存的参数，将闪存编程代码写入程序代码区；微控制器运行程序代码区中的闪存编程代码并将正常运行标志写入控制交换区；上位机读取正常运行标志，配置数据在闪存中的写入地址，将待写入数据传输至数据缓冲区，将操作命令写入控制交换区；微控制器读取操作命令和写入地址，将数据缓冲区中的待写入数据写入闪存后在控制交换区写入操作结果和编程结果应答；上位机获取编程结果应答，根据已写入闪存的数据的大小修改写入地址。微控制器在编程系统的运行过程中不中断。