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一种硅基MEMS晶圆多焦点激光切割系统及切割方法

基本信息

申请号 CN201710721276.2 申请日 -
公开（公告）号 CN107529467B 公开（公告）日 2019-10-25
申请公布号 CN107529467B 申请公布日 2019-10-25
分类号 H01L21/67;B23K26/38;B23K26/70;B23K101/36 分类 基本电气元件;
发明人 黄永忠;何刘;王晓峰;潘岭峰;闻永祥;王珏 申请（专利权）人 成都莱普科技股份有限公司
代理机构 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 代理人 成都莱普科技有限公司
地址 610041 四川省成都市高新区科院三路4号火炬时代大厦A区13-5
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种硅基MEMS晶圆多焦点激光切割系统及切割方法，属于集成电路和微机电系统物联网传感器领域，它包括激光器、光学系统和样品位移系统；所述激光器，用于发射激光，形成所述激光退火装置需要的光源；所述光学系统，用于将所述激光器发射的激光整形为多焦点光斑并聚焦到硅基MEMS晶圆内部；所述样品位移系统，用于放置被切割硅基MEMS晶圆，并调整所述硅基MEMS晶圆的位置。使用该系统的切割方法相比现有技术具有操作灵活方便、技术先进，具有一次操作便能将硅基MEMS晶圆切割成型的特点，相比于现有技术更方便，效率极大提高。