一种高介电聚酰亚胺/钛酸铜钙纳米线复合材料的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310353210.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103396548B | 公开（公告）日 | 2015-09-16 |
| 申请公布号 | CN103396548B | 申请公布日 | 2015-09-16 |
| 分类号 | C08G73/10(2006.01)I;C08K7/08(2006.01)I;C08K3/24(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08L79/08(2006.01)I | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 杨阳;熊锐;刘雍;石兢;石彬;牛牧;林晶 | 申请（专利权）人 | 武汉一海数字医疗科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 武汉科皓知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 武汉一海数字工程有限公司;武汉一海数字医疗科技股份有限公司 |
| 地址 | 430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道818号高科医疗器械园B8-A4 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高介电聚酰亚胺/钛酸铜钙纳米线复合材料的制备方法，该方法是以聚合物为基质制备，将钛酸铜钙纳米线在无水乙醇中进行超声分散之后，与聚酰亚胺单体共混于溶剂中，然后在室温下使单体进行原位聚合反应，同时实现聚酰亚胺的共聚以及与钛酸铜钙纳米线的插层复合，所得的原液采用涂膜法，经过梯度退火即得到聚酰亚胺/CCTO纳米线复合薄膜。使用本发明方法制备的聚酰亚胺/钛酸铜钙纳米线复合材料与纯的聚酰亚胺相比，其介电常数提高25倍，且具有较低的介质损耗（0.015），在高储能电容器、人造器官以及高速集成电路等领域具有广阔的应用前景。 |
