MOCVD沉积物的清理装置
基本信息
| 申请号 | CN202011293027.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112410755A | 公开（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申请公布号 | CN112410755A | 申请公布日 | 2021-02-26 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 刘锋;韩晓翠;郑远志;陈向东 | 申请（专利权）人 | 马鞍山杰生半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京华智则铭知识产权代理有限公司 | 代理人 | 沈抗勇 |
| 地址 | 243000安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及清理装置技术领域，且公开了MOCVD沉积物的清理装置，包括底座、反应腔和腔盖，反应腔固定设置于底座的上表面，腔盖设置于反应腔的顶部，底座的上表面中心处固定设有U型支撑板，U型支撑板的内部设有旋转板，旋转板的侧壁通过转轴转动设置于U型支撑板的内部，旋转板的上侧固定设有反应台，底座的上表面左侧固定设有第一U型块，第一U型块的内部通过第一轴销转动设置有气缸，气缸的活塞杆末端通过第二轴销转动设置有第二U型块，第二U型块固定设置于反应台的下表面左侧，反应台的上表面设有U型刮板。本发明便于将反应后的沉积物清理，降低了工作人员的劳动强度，且不会出现水汽、氧气等吸附在腔体的表面。 |
