GaN基探测器
基本信息
| 申请号 | CN202011296081.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112420856A | 公开（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申请公布号 | CN112420856A | 申请公布日 | 2021-02-26 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨天鹏;康建;郑远志;陈向东 | 申请（专利权）人 | 马鞍山杰生半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京华智则铭知识产权代理有限公司 | 代理人 | 沈抗勇 |
| 地址 | 243000安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及探测器技术领域，且公开了GaN基探测器，包括衬底、GaN缓冲层、n型欧姆层、本征型GaN有源层和p型欧姆层，所述衬底、GaN缓冲层、n型欧姆层、本征型GaN有源层和p型欧姆层从下至上依次连接设置，所述n型欧姆层上设置有n型接触层，所述p型欧姆层上设置有p型接触层，所述n型欧姆层、本征型GaN有源层和p型欧姆层外覆盖有一层钝化层，所述本征型GaN有源层和p型欧姆层为锥台形结构。本发明增强了欧姆接触性能，保证了探测器的稳定性和响应速度。 |
