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一种超低电容TVS二极管结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN201610166380.5	申请日	-
公开（公告）号	CN105679836B	公开（公告）日	2022-07-12
申请公布号	CN105679836B	申请公布日	2022-07-12
分类号	H01L29/861（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	杨忠武	申请（专利权）人	广西惠科科技有限公司
代理机构	深圳中一联合知识产权代理有限公司	代理人	-
地址	536000 广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种超低电容电子产品ESD保护的瞬态抑制保护器（TVS）二极管及其制备方法，此方法采用高电阻率的硅片来降低二极管PN结电容，并通过注入杂质来局部调节PN结接触区的低浓度区的浓度来达到设计的低电压，既达到超低电容，低压，又保证功率良好的效果。本发明是在高电阻率第一种杂质的硅片上形成间隔排列深结和浅结的第二种杂质区，并在浅结的第二种杂质区下面通过注入第一种杂质来调节PN结的接触区的浓度比，达到设计的反向雪崩击穿电压。深结区形成超低电容，调整深结和浅结区面积比例和高电阻率区的电阻率达到设计的电容值；调整深结区的深度达到高的功率值。本发明TVS主要应用于超高频电子设备的ESD保护上，应用范围广泛。