一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210320248.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103681813B | 公开（公告）日 | 2018-07-24 |
| 申请公布号 | CN103681813B | 申请公布日 | 2018-07-24 |
| 分类号 | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱江 | 申请（专利权）人 | 广西惠科科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 536000 广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管，传统绝缘栅双极晶体管的背P+发射区完全覆盖器件背面，本发明的绝缘栅双极晶体管通过沟槽将器件背面部分或全部区域设置为多晶P+发射区，以此调节背P+发射区向N型基区注入空穴的效率，提高器件高频特性的应用范围。本发明还提供了一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管的制备方法。 |
