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一种纳米硅磷浆及其制备方法和应用

基本信息

申请号 CN201310397907.1 申请日 -
公开（公告）号 CN103489932B 公开（公告）日 2016-03-30
申请公布号 CN103489932B 申请公布日 2016-03-30
分类号 H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘国钧;万剑;沈晓东;蒋红彬;成汉文;沈晓燕;杨晓旭 申请（专利权）人 苏州金瑞晨科技有限公司
代理机构 北京同恒源知识产权代理有限公司 代理人 刘宪池
地址 215000 江苏省苏州市吴中区吴中经济开发区澄湖东路5号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种纳米硅磷浆的组成及其制备方法，还公开了使用该纳米硅磷浆生产正面接触p型太阳能电池的应用方法以及生产出的太阳能电池的结构；所述纳米硅磷浆用丝网印刷方法印在涂有氮化硅减反射膜的太阳能电池硅片上面，在烧结正面银浆金属电极时，纳米硅磷浆穿透氮化硅（SiNx)减反射膜，使纳米硅直接与硅片基板接触；纳米硅磷浆释放磷原子扩散到硅片中对浆体覆盖区域进行掺杂，增加覆盖区发射极厚度，进一步防止p/n结被烧穿；烧结完成后，纳米硅与银共晶析出，银栅线与硅基板形成良好的欧姆接触，增强银栅线的附着力；所述方法简化太阳能电池生产步骤。