一种纳米硅银浆及其制备方法以及应用
基本信息
| 申请号 | CN201310397906.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103489499B | 公开（公告）日 | 2017-01-25 |
| 申请公布号 | CN103489499B | 申请公布日 | 2017-01-25 |
| 分类号 | H01B1/16(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘国钧;万剑;成汉文;蒋红彬;沈晓燕;沈晓东 | 申请（专利权）人 | 苏州金瑞晨科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京同恒源知识产权代理有限公司 | 代理人 | 苏州金瑞晨科技有限公司 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市吴中区吴中经济开发区澄湖东路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种纳米硅银浆及其制备方法以及该纳米硅银浆在生产正面接触p型太阳能电池时的应用方法以及生产出的太阳能电池的结构，所述纳米硅银浆在烧结太阳能电池金属电极时，纳米硅银浆中的添加剂刻蚀氮化硅（SiNx)减反射膜，使浆体直接与硅片基板接触；同时，纳米硅颗粒与银浆形成低温共融物，防止金属银穿透发射极，破坏p/n结；添加剂同时释放磷原子扩散到硅片中对纳米硅银浆覆盖区域进行掺杂，烧结完成后，纳米硅与银共晶析出，增强银栅线粘附力，同时也简化了生产步骤。 |
