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纳米硅硼浆及其应用于制备全屏蔽硼背场的工艺

基本信息

申请号 CN201310739043.7 申请日 -
公开（公告）号 CN103714879B 公开（公告）日 2016-08-17
申请公布号 CN103714879B 申请公布日 2016-08-17
分类号 H01B1/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘国钧;将红彬;万剑;沈晓燕;程亮;沈晓东 申请（专利权）人 苏州金瑞晨科技有限公司
代理机构 北京同恒源知识产权代理有限公司 代理人 苏州金瑞晨科技有限公司
地址 215000 江苏省苏州市吴中区吴中经济开发区澄湖东路5号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了纳米硅硼浆及其应用于制备全屏蔽硼背场的工艺，在普通电池生产工艺的基础上，加入印刷本发明所述纳米硅硼浆形成具有“全屏蔽”效果的硼背场，以代替现有铝背场，解决了铝背场带来的硅片翘曲，减少碎片提高良品率；另外，硼背场的电场强度比铝背场高，更有效地阻止光生载流子溢出硅片表面或界面发生复合。同时，纳米硅硼浆中的硅粒发生交联，并形成一层致密结构牢牢粘连在硅片基板上，有效地防止硼、磷扩散相互干扰。