应用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器专利查询专利号|摘要-满商公司网

应用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器

基本信息

申请号	CN201811064488.9	申请日	-
公开（公告）号	CN109273532B	公开（公告）日	2022-03-11
申请公布号	CN109273532B	申请公布日	2022-03-11
分类号	H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	朱天志	申请（专利权）人	上海华力微电子有限公司
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	智云
地址	201203上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
法律状态	-

摘要

本发明公开一种应用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器，包括：硅基衬底；N阱和P阱，设置在硅基衬底上，并在界面处设置P型重掺杂区；第一P型重掺杂区与第一N型重掺杂区，间隔设置在N阱上，且第一P型重掺杂区与第一N型重掺杂区之间为未设置浅沟槽隔离的有源区；第二P型重掺杂区与第二N型重掺杂区，间隔设置在P阱上，并在之间设置第一浅沟槽隔离；第二浅沟槽隔离，设置在第一N型重掺杂区与P型重掺杂区之间；第三浅沟槽隔离，设置在第二N型重掺杂区与P型重掺杂区之间；阳极，与第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区电连接；阴极，与第二P型重掺杂区与第二N型重掺杂区电连接。本发明在满足无回滞效应的功能下，实现器件版面结构之小型化，值得业界推广应用。